元器件封裝貼片化和SMT工藝的全面應(yīng)用是電源適配器小型化的推手。隨著電子制造技術(shù)的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)直插式封裝（To）器件逐步被體積更小、性能更優(yōu)的貼片式封裝所替代，大量使用直插封裝器件的充電器同樣淡出主流配件市場(chǎng)。在幾年前，我們看到的充電器內(nèi)部可能是這樣的：大量的直插式分立元器件、PCB布局松散、功率器件由于熱性能不佳甚至還需加上散熱片輔助散熱，這些都直接造成了傳統(tǒng)充電頭的龐大體積。

而現(xiàn)在GaN充電器的底層PCB，除EMI器件、大容量電解電容和變壓器，其余器件全為貼片封裝，PCB布局也更加緊湊。元器件封裝形式的變化，直接推動(dòng)了開(kāi)關(guān)電源的小型化。

IC高密度集成也推動(dòng)了電源適配器的小型化。常見(jiàn)的PWM開(kāi)關(guān)電源由EMI、整流濾波、PWM控制、MOSFET開(kāi)關(guān)、變壓器、同步整流、反饋和輸出濾波組成。以往各部分功能由獨(dú)立器件或IC完成，在IC高度集成的推動(dòng)下，多功能模塊的整合使得原來(lái)由多個(gè)器件和IC實(shí)現(xiàn)的功能，如今在一片IC就可完成。

最具代表的就是PI（Power Integrations）的InnoSwitch?系列，在一個(gè)表面貼裝封裝內(nèi)集成了初級(jí)電路、次級(jí)電路和反饋電路，尤其是內(nèi)置氮化鎵的InnoSwitch3，可提供更大功率、更高的效率以及更具可靠性，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100W的功率輸出。IC的高度集成，自然帶來(lái)周邊器件的減少，充電器體積也可同步縮減。